第三代半導體-碳化矽功率半導體元件...
2021年04月14日 國立臺灣大學
李教授的團隊克服碳化矽材料的缺點，也克服了4吋機臺在製程上的限制，成功地開發出1200 V碳化矽超接面金氧半場效電晶體。李教授的...
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2022年01月02日
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